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MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B

Part No :

MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B

Manufacturer
Micron Technology
Description
IC FLASH 4TB PARALLEL 333MHZ
Catalog
Memory
DataSheet
MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B PDF
Unit Price
詢價(jià)QQ咨詢
Stock Num
0
Min Qty
1
Package
Tray

MT29E4T08EYHBBG9-3ES:B Specifications

Type Description
rohs: RoHS
technology: FLASH - NAND
access time: -
memory size: 4Tb (512G x 8)
memory type: Non-Volatile
part status: Obsolete
memory format: FLASH
mounting type: -
package / case: -
clock frequency: 333 MHz
memory interface: Parallel
voltage - supply: 2.5V ~ 3.6V
operating temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
supplier device package: -
write cycle time - word, page: -
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